Полевые транзисторы на арсениде галлия : Принципы работы и технология изготовления / [П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.] ; Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуолат ; Перевод с англ. Г.В. Петрова.
Material type:
TextLanguage: Russian Original language: English Publication details: Москва : Радио и связь, 1988.Description: 495 с. : илSubject(s):
| Item type | Current library | Collection | Call number | Status | Notes | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Գրքեր / Books
|
Fundamental Scientific Library | General | PII/622332 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 30 Days Loan | 120622332 | |
|
Գրքեր / Books
|
Fundamental Scientific Library | General | РII/594324 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 30 Days Loan | FL0023330 |
Browsing Fundamental Scientific Library shelves,Collection: General Close shelf browser (Hides shelf browser)
| PII/622303 Основы консульской службы / | PII/622306 Человек и ноосфера / | PII/622330 Конструирование радиоэлектронных средств : Учебное пособие / | PII/622332 Полевые транзисторы на арсениде галлия : Принципы работы и технология изготовления / | PII/622334 Метод преломленных волн / | PII/622340 Слушай, читай, смотри - говори! : [Для говорящих на английском языке] / | PII/622347 Моделирование горения полимерных материалов / |
Авт. указаны в огл.
Библиогр.: с. 439-490
Оригинал на англ.: GaAs FET Principles and Technology / James V. DiLorenzo, Deen D. Khandelwal - Artech House : 1982
There are no comments on this title.
All site content, except where otherwise noted, is licensed under a