Полевые транзисторы на арсениде галлия : Принципы работы и технология изготовления / [П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.] ; Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуолат ; Перевод с англ. Г.В. Петрова.
Material type:
Item type | Current library | Collection | Call number | Status | Notes | Barcode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Fundamental Scientific Library | General | PII/622332 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 30 Days Loan | 120622332 | |
![]() |
Fundamental Scientific Library | General | РII/594324 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 30 Days Loan | FL0023330 |
Авт. указаны в огл.
Библиогр.: с. 439-490
Оригинал на англ.: GaAs FET Principles and Technology / James V. DiLorenzo, Deen D. Khandelwal - Artech House : 1982
There are no comments on this title.