| 000 | 01440nam a2200289 u 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000148539 | ||
| 003 | AM-YeHGA | ||
| 005 | 20230228134847.0 | ||
| 008 | 950417s1988 ru a|||gr|||||||||0|rus|d | ||
| 040 | _aAM-YEHGA | ||
| 041 | 1 |
_arus _heng |
|
| 245 | 0 | 0 |
_aПолевые транзисторы на арсениде галлия : _bПринципы работы и технология изготовления / _c[П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.] ; Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуолат ; Перевод с англ. Г.В. Петрова. |
| 260 |
_aМосква : _bРадио и связь, _c1988. |
||
| 300 |
_a495 с. : _bил. |
||
| 500 | _aАвт. указаны в огл. | ||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 439-490 | ||
| 534 |
_pОригинал на англ.: _tGaAs FET Principles and Technology / _aJames V. DiLorenzo, Deen D. Khandelwal - _cArtech House : 1982 |
||
| 650 | 1 | 4 |
_aГаллий, арсенид _xПолупроводниковые свойства |
| 650 | 1 | 4 | _aТриоды полупроводниковые, полевые |
| 700 | 1 | _aЛиндквист, П.Ф. | |
| 700 | 1 | _aФорд, У.М. | |
| 700 | 1 | _aХоллан, Л. | |
| 700 | 1 |
_aПетров, Г.В. _eпер. _4trl |
|
| 700 | 1 |
_aДи Лоренцо, Д.В. _eред. _4edt |
|
| 700 | 1 |
_aКанделуол, Д.Д. _eред. _4edt |
|
| 942 |
_2udc _cBK _n0 |
||
| 999 |
_c51145 _d51145 |
||